光刻的基本原理!光刻类型

时间:2019-01-30 08:47 来源:365bet体育在线备用网址 作者:admin

八,硬电影(HardBake) 在完成胶的开发之后,基本上确定了图案,但是还必须使光保护的性质更稳定。 硬干燥可以做到这一点,这个步骤也称为硬化。 在这个过程中,高温处理能除去残留在光致抗蚀剂溶剂,提高到硅晶片的表面上的光致抗蚀剂的密合性和随后的蚀刻和植入过程中提高光致抗蚀剂的阻力的强度离子.. 此外,光保护在高温下会软化,在高温下形成类似于玻璃体的熔融状态。 这使表面张力下的光保护表面软化并减少光致抗蚀剂层中的缺陷(例如孔),从而校正光保护图案的边缘轮廓。 用O 2等离子体整体处理样品,以消除在显影后称为泡沫去除的可能的不希望的残留物。 特别地,负凝胶,而且正凝胶,粘合剂衬底原始的显影后的界面上留下薄的聚合物层,这样的问题是在具有小于1分微米或更大的比的结构的结构更严重深度到宽度。 当然,在废物去除过程中胶水的厚度会减少,但影响不会太大。 最后,需要硬化烘烤以在化学侵蚀或电镀之前除去残留的显影剂和水,并且退火以改善由于在显影期间的渗透和膨胀引起的界面结。 同时,提高了胶水的硬度,提高了耐雕刻性。 强烈的烘烤温度一般高于120度,时间也约为20分钟。 主要限制是过高的温度会使图案的边缘变差并且在雕刻后难以去除。 九,雕刻或植入离子。 化学蚀刻是在半导体器件的制造中通过化学方法选择性地去除沉积层的特定部分的过程。 蚀刻对于器件的电性能很重要。 如果雕刻过程中出现错误,将消除难以恢复的硅晶片,因此必须进行严格的过程控制。 半导体器件的每一层经过几个雕刻步骤。 雕刻通常分为电子束雕刻和光刻。光刻法需要很大的材料平整度,因此需要高清洁度。 然而,对于电子束雕刻,由于电子的波长非常短,因此分辨率比光刻法的分辨率好得多。 由于不需要掩模,因此不需要平坦度,但电子束攻击速度慢且设备昂贵。 对于大多数雕刻步骤,晶片顶层的一部分由不能雕刻的“钟形物”保护,以便可以选择性地去除层的特定部分。 在一些情况下,覆盖材料是光致抗蚀剂,类似于光刻中使用的原理。 在其他情况下,雕刻掩模必须承受某些化学物质,并且氮化硅可用于制造这种“罩”。 离子注入是加速电场中特定离子然后将其嵌入另一种固体材料中的技术手段。 该技术的使用可以改变固体材料的物理化学性质,并且现在广泛用于半导体器件的制造和材料科学的某些研究中。 离子的注入可以引起核转变或改变某些固体材料的晶体结构。 十,消除光保护。 光保护的主要功能是在整个区域的化学或机械加工过程中保护基板部分的光保护。 因此,一旦完成前一过程,必须完全消除光保护,这一步骤称为脱胶。 只有在高温下稳定的光保护剂,例如光敏聚酰亚胺,才能作为中间介质或缓冲涂层保留在装置中。 为避免对被处理表面造成任何损坏,应在低温下使用温和的化学方法。超声波应用还可以改善剥离性能。 由于腐蚀问题,一些已知的提取液不适用于金属表面如铝,在这种情况下,首先使用臭氧或氧等离子体(焚烧)。 这些等离子体也已成功用作非铝表面的光刻分离器,但是对器件表面的损坏仍然是需要解决的问题。 在蚀刻或离子注入之后,不再需要光保护作为保护层并且可以将其去除。 消除胶水的方法分类如下: 潮湿的Desengomado:a,用有机溶剂脱胶:用有机溶剂消除fotoprotección;b,无机溶剂:通过使用无机溶剂,光保护的有机物质的碳元素被氧化成二氧化碳,然后去除 Desengomado干燥:光保护用等离子体剥离。 除了这些主要工艺之外,还经常使用一些辅助工艺,例如对大面积进行化学侵蚀以减小基板的厚度或消除边缘的不规则性。 通常,在半导体芯片或其他部件的生产中,衬底需要重复的光刻。 以上是光刻技术的一些基本介绍。小型合作伙伴心目中的光刻知识系统是否更清晰?
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